深圳市光翌电子科技有限公司
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公司动态

IPD042P03L3G MOS场效应 30V70A

    制造商: Infineon

    产品种类: MOSFET

    安装风格: SMD/SMT

    封装 / 箱体: TO-252-3

    通道数量: 1 Channel

    晶体管极性: P-Channel

    Vds-漏源极击穿电压: 30 V

    Id-连续漏极电流: 70 A

    Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms

    Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

    Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

    Qg-栅极电荷: 175 nC

    最小工作温度: - 55 C

    最大工作温度: + 175 C

    Pd-功率耗散: 150 W



    深圳市光翌电子科技有限公司
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[发布时间:2019/2/18 15:28:00]

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